Aplikasyon

Founo a difizyon oksidasyon se yon ekipman pwosesis kle pou pwodiksyon an nan selil PV. Li melanje ak difize kantite tras nan bor, fosfò ak lòt eleman sou wafer la Silisyòm nan tanperati ki wo yo prepare rakor PN ak konpoze sikwi entegre soti nan li. Li kapab tou itilize yo prepare fim Siox sou sifas la nan wafer la Silisyòm pwoteje gonfle.Li se komen yo sèvi ak tèrmokoupleman mezire tou de pati yo enteryè ak ekstèn nan gwo founo dife a kontwole tanperati a enteryè nan gwo founo dife a difizyon ki ta ka fè pwosesis la oksidasyon. Chak zòn tanperati espesifye gen yon thermocouple deyò ak enteryè a asire w ke rezilta yo mezi yo serye. Multipoint nòb metal kwats thermokouples yo te itilize pou mezire tanperati wafer, li souvan gen 3 ~ 9 pwen mezi, ki reprezante tanperati a wafer avèk presizyon.

Pwodwi Deskripsyon

Pou sa ka fèt, Duchin te devlope teknik propriétaires ak pwodwi tankou multipoint nòb metal quartz thermocouple pou mezi tanperati nan seksyon an tout antye nan gwo founo dife a difizyon, yon aparèy kalibrasyon pou milti-pwen tèrmokouple.

Pwodwi a gen kèk karakteristik nan mezi tanperati serye, segondè presizyon, bon estabilite, vit repons tèmik, anti-entèferans, segondè ak ba-tanperati rezistans enpak, lavi sèvis long, ak sou sa. Paramèt teknik yo nan pwofil la semi -conducteurs thermocouple yo jan sa a:

Paramèt teknik	Semiconductor Profile Thermocouple
Lèt	S,R
Fil oswa mim dyamèt	φ0.35~0.5
K ap travay temp (degre)	0~1100
Presizyon (degre)	±1.0
Longè tib pwoteksyon (mm)	Mwens pase oswa egal a 4000
Dyamèt tib pwoteksyon (mm)	φ12~18
Materyèl tib pwoteksyon	Kwatz
Estrikti fen cho	Ekspoze
Kantite pwen	3 ~ 6 pwen
Tèminezon	Ti Connector
Fil konpansasyon	Sc {{0}} × 0.5fpf
Karakteristik estrikti	Rasanble T/C nan konbinezon pou chak pwen se byen difisil